<STRONG>세계 첫 20나노 4GB D램 양산… 30나노보다 2배이상 생산 가능 <BR>10나노급 D램 양산기술도 확보<BR><BR></STRONG>
<DIV class=articlePhotoC><STRONG><IMG src="http://dimg.donga.com/wps/NEWS/IMAGE/2014/03/11/61633891.1.jpg" width=500></STRONG><SPAN style="WIDTH: 480px" class=t>20나노 D램은 신제품 개발이 정체돼 있던 D램 시장에서 새로운 돌파구를 마련했다는 평가를 받고 있다. 삼성전자 제공</SPAN>
<DIV style="WIDTH: 500px" id=divBox class=ad></DIV></DIV>삼성전자가 이달 초부터 세계 최초로 ‘20나노 4GB(기가바이트) DDR3 D램(20나노 D램)’을 본격적으로 양산하기 시작했다고 11일 밝혔다.<BR><BR>삼성전자에 따르면 D램 메모리 반도체 시장에서는 2012년 10월부터 양산된 25나노 D램 이후 특별한 기술 혁신이 없었다. 이에 따라 20나노 D램은 반도체 시장의 주력 제품 중 하나로 떠오를 것으로 보인다.<BR><BR>20나노 D램은 직전 제품인 25나노 D램보다 전력 소비를 약 25% 줄일 수 있어 친환경 정보기술(IT) 제품에 광범위하게 쓰일 수 있다는 게 특징이다. 삼성전자는 이번에 개발된 20나노 D램을 PC 제품에 우선적으로 장착할 계획이다. 또 조만간 스마트폰과 서버 관련 제품에도 적용할 방침이다.<BR><BR>20나노 D램은 하나의 웨이퍼(반도체 원판)에서 25나노에 비해서는 30%, 30나노에 비해서는 2배 이상 생산이 가능하다.<BR><BR>전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “20나노 D램이 IT 시장에서 빠르게 확산될 것”이라며 “계속해서 차세대 대용량 D램과 그린 메모리 솔루션을 출시하겠다”고 말했다.<BR><BR>삼성전자는 새로운 설비 투자 없이 이번 제품을 개발하는 데 성공했고, 10나노급 D램을 양산할 수 있는 기반 기술까지 마련했다고 밝혔다. IT 업계에서는 이르면 1년 안에 삼성전자가 10나노급 D램을 본격적으로 양산할 수 있을 것으로 예상한다.<BR><BR>한편 시장 조사기관인 가트너는 올해 세계 D램 메모리 반도체 시장 규모가 379억 달러로 지난해보다 20억 달러 정도 성장할 것으로 전망했다.<BR><BR>이세형 기자 turtle@donga.com
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